米Alpha and Omega Semiconductor（Alpha & Omega）は、＋1200V耐圧のSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFET「AOK065V120X2」を発売した（ニュースリリース）。同社がSiCパワーMOSFETを製品化するのは今回が初めて。同社独自の「αSiC MOSFET」技術で製造したとする。特徴は、オン抵抗とゲート抵抗を低く抑えることで、AC（交流）とDC（直流）の電力損失を最小限に抑えられる点にある。同社によると、「既存のSiパワーデバイスを使う場合に比べて、変換効率と出力電力密度を大幅に高められる」という。オン抵抗は65mΩ（ゲート-ソース間電圧が＋15Vのときの標準値）、ゲート抵抗は2.5Ω（1MHzにおける標準値）である。太陽光発電用インバーター装置や無停電電源装置（UPS）、電気自動車（EV）用インバーター装置、EV用充電器などに向ける。
＋1200V耐圧のSiCパワーMOSFET
Alpha and Omega Semiconductorのイメージ
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ゲート-ソース間電圧は、最小値が−5Vで最大値が＋15Vである。このため高耐圧のIGBTやSiCパワーMOFETに向けた一般的なゲートドライバーICを使用できるという。ドレイン電流は、連続時に40.3A、パルス時に最大85A。全ゲート電荷量は62.3nC（標準値）。入力容量は1716pF（標準値）。出力容量は71pF（標準値）。帰還容量は5pF（標準値）。出力容量への蓄積エネルギーは30μJ（標準値）。ターンオン時の遅延時間は14.6ns（標準値）で、ターンオフ時は20.8ns（標準値）。立ち上がり時間は36.2ns（標準値）。立ち下がり時間は10.2ns（標準値）。ターンオン時のエネルギーは325μJ（標準値）、ターンオフ時は23μJ（標準値）。ボディーダイオードの逆回復電荷量は155nC（標準値）である。パッケージは３端子TO-247。動作接合部温度範囲は−55〜＋175℃である。すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。
同社は2020年中にSiCパワーMOSFETの品ぞろえを拡充する計画である。オン抵抗などの特性やパッケージなどが異なる製品を市場に投入する予定という。車載用ディスクリート半導体の品質規格「AEC-Q101」に準拠した製品も市場投入する考えだ。
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May 21, 2020 at 11:22AM
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Alpha & OmegaがSiCパワーMOSFET市場に参入、まずは1200V耐圧品を投入 - 日経 xTECH Active
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