東芝デバイス＆ストレージは、スーパージャンクション（SJ）構造を採用した＋650V耐圧パワーMOSFET「DTMOSVI（ディー・ティー・モス・シックス）シリーズ」の品ぞろえを拡充した（ニュースリリース）。今回は、パッケージやオン抵抗、ゲート-ドレイン間電荷量などが異なる8製品を追加した。いずれもnチャネル品である。パッケージは、TO-247、TO-247-4L、TO-220SIS、DFN8×8の4種類。オン抵抗は0.11～0.21Ω（最大値）の範囲、ゲート-ドレイン間電荷量は7.1n～11nC（標準値）の範囲である。
スイッチング電源の変換効率を約0.36％高められるスーパージャンクション構造パワーMOSFETのパッケージ。東芝デバイス＆ストレージの写真
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DTMOSVIシリーズの特徴は、従来世代品である「DTMOSIV-H（ディー・ティー・モス・フォー・エイチ）シリーズ」に比べて、ドレイン-ソース間オン抵抗が低いと同時に、ゲート-ドレイン間電荷量が少ないことにある。オン抵抗と電荷量の積で求める性能指数（FOM：Figure Of Merit）は、約40％改善した。このため、新製品をスイッチング電源に適用すれば変換効率を高められる。例えば、2.5kW出力の力率改善（PFC）回路に適用した場合、変換効率は0.36ポイント向上したという。具体的な応用先は、データセンター機器のスイッチング電源や、太陽光発電システム向けパワーコンディショナー（インバーター装置）、無停電電源装置（UPS）などである。
例えば、オン抵抗が0.11Ω（最大値）で、TO-247パッケージに封止した「TK110N65Z」の特性は以下の通り。最大ドレイン電流は、連続（DC）時に24A、パルス時に96A。ゲート漏れ電流は±1μA（最大値）。ドレイン遮断電流は2μA（最大値）。入力容量は2250pF（標準値）。出力容量は54pF（標準値）。帰還容量は1.9pF（標準値）。スイッチング時間は、ターンオフ時に62ns（標準値）、ターンオフ時に90ns（標準値）。スイッチング波形の立ち上がり時間は35ns（標準値）、立ち下がり時間は4ns（標準値）である。最大動作チャネル温度は＋150℃。
8製品いずれも、すでに量産を始めている。価格は明らかにしていない。今後同社は、市場動向に合わせてDTMOSVIシリーズの製品ラインナップを拡充していくとしている。
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April 03, 2020 at 08:52AM
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