米Efficient Power Conversion（EPC）は、オン抵抗が6.8mΩ（ゲート-ソース間電圧が＋5Vのときの標準値）と低い＋170V耐圧のGaNパワートランジスタ（FET）「EPC2059」を発売した（ニュースリリース）。同社は、「eGaN（enhancement mode Gallium Nitride on Silicon）パワーFET」と呼ぶ。同社が＋170V耐圧のGaN FETを製品化するのは今回が初めて。スイッチング電源やACアダプターといったAC-DCコンバーターの2次側同期整流回路に向ける。「出力電力が100W〜6kWのAC-DCコンバーターに適用できる」（同社）。具体的な応用機器は、＋48〜56Vの入力電圧に対応したハイエンドサーバーやデータセンター機器のほか、ゲーム用デスクトップパソコンや液晶テレビ、LED照明器具などである。例えば、デスクトップパソコンに適用した場合、電源モジュールの消費電力に関する標準規格「80PLUS」の最上位グレードである「TITANIUM」（100％負荷時の変換効率が90％以上）をクリアできるという。
オン抵抗が6.8mΩと低い＋170V耐圧GaN FETと応用機器の例
Efficient Power Conversion（EPC）のイメージ
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最大ドレイン電流は、連続時が24A、パルス時が102A。全ゲート電荷量は5.7nC（標準値）と少ない。入力容量は633pF（標準値）。出力容量は267pF（標準値）。帰還容量は1.6pF（標準値）。ゲート抵抗は0.5Ω（標準値）。逆回復電荷量はゼロである。実装面積は2.8mm×1.4mm。GaN FETダイ上に表面保護膜（パッシベーション膜）を形成した後、6本のはんだバー（棒）を取り付けた状態で出荷する。動作温度範囲は−40～＋150℃。2500個購入時の参考単価は1.59米ドルである。
新製品を2個使ってハーフブリッジ回路を構成した開発ボード「EPC9098」を用意した。入力電圧は最大＋135V。スイッチングノードにおける最大電圧は＋170Vで、最大出力電流は17Aである。ボードの面積は50.8mm×50.8mm。参考単価は118.75米ドルである。
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November 16, 2020 at 04:55PM
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170V耐圧のGaN FET、EPCがオン抵抗6.8mΩ品 - 日経 xTECH Active
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