米ON Semiconductor（オンセミ）は、高速スイッチングに対応した＋900V耐圧と＋1200V耐圧のSiC（炭化ケイ素）パワーMOSFETを発売した（ニュースリリース）。最大ドレイン電流やオン抵抗などの特性のほか、パッケージが異なる23種類の製品を用意した。いずれもnチャネル品である。今回の新製品では、チップ寸法を小型化して入力容量や出力容量、ゲート電荷量などを削減した。このため、高周波動作時のスイッチング損失が低減され、スイッチング周波数を高められる。太陽光発電用インバーター装置や、電気自動車（EV）の車載充電器（オンボードチャージャー）、無停電電源装置（UPS）、サーバー用スイッチング電源、充電ステーションなどに向ける。
高速スイッチングに対応した＋1200V耐圧SiCパワーMOSFETのパッケージであるTO-247。
ON Semiconductorの資料
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＋1200V耐圧品の中で最大ドレイン電流（連続時）が最も大きい製品は「NTHL020N120SC1」で、103A。＋900V耐圧品では「NTHL020N090SC1」で、118Aである。例えば、前者のNTHL020N120SC1の特性は以下の通り。オン抵抗は、ゲート-ソース間電圧が＋15Vのときに20mΩ（標準値）と低い。ゲート電荷量は196nC（標準値）と少ない。入力容量は4415pF（標準値）。出力容量は296pF（標準値）。帰還容量は24pF（標準値）。ターンオン時の遅延時間は40ns（標準値）、ターンオフ時は55ns（標準値）。スイッチング波形の立ち上がり時間は63ns（標準値）、立ち下がり時間は13ns（標準値）。ターンオン時のスイッチング損失は2025μJ（標準値）、ターンオフ時は201μJ（標準値）である。パッケージはTO-247。動作接合部温度範囲は−55〜＋175℃である。
パッケージはTO-247のほかにD2PAKを用意した。米国での参考単価は、同社のWebサイトの製品紹介ページによると、NTHL020N120SC1が16.3329米ドル、NTHL020N090SC1が13.1997米ドルである。
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March 31, 2020 at 10:50AM
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高速スイッチング対応の900V／1200V耐圧SiC MOSFET、オンセミが発売 - 日経 xTECH Active
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