米Efficient Power Conversion（EPC）は、オン抵抗が8mΩ（ゲート-ソース間電圧が＋5Vのときの最大値）と低いGaNパワートランジスタ（FET）「EPC2215」を発売した（ニュースリリース）。＋200V耐圧品である。同社は「eGaN（enhancement mode Gallium Nitride on Silicon）パワーFET」と呼ぶ。特徴は、オン抵抗が低いことに加えて、ゲート-ドレイン間の電荷量が1.6nC（標準値）と少なく、実装面積が4.6mm×1.6mmと小さいことにある。同社によると、「従来の＋200V耐圧GaN FETと比較すると、実装面積は約半分に削減。低い方が優れている性能指数（FOM）は約1／2に低減した。＋200V耐圧のSiパワーMOSFETと比べれば、オン抵抗は約33％減、ゲート-ドレイン間電荷量は80％減、実装面積は1／15を実現した」という。
具体的な応用先は、＋48V出力の同期整流器やD級（クラスD）オーディオアンプ、太陽光発電用マイクロインバーター、DC-DCコンバーター、ブラシレスDC（直流）モーター（BLDC）の駆動回路などである。
オン抵抗が8mΩと低い＋200V耐圧GaNパワートランジスタ（FET）
Efficient Power Conversion（EPC）のイメージ
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最大ドレイン電流は、連続時に32A、パルス時に162A。ゲート-ソース間電圧は、最小値が−4V、最大値が＋6V。全ゲート電荷量は13.6nC（標準値）。出力電荷量は69nC（標準値）。入力容量は1356pF（標準値）。出力容量は390pF（標準値）。帰還容量は2.0pF（標準値）。ゲート抵抗は0.4Ω（標準値）。逆回復電荷量（QRR）はゼロである。動作温度範囲は−40〜＋150℃。すでに量産出荷を始めている。2500個購入時の参考単価は2.84米ドルである。
このほか実装面積が2.9mm×0.9mmと小さく、オン抵抗が22mΩ（ゲート-ソース間電圧が＋5Vのときの最大値）のGaNパワートランジスタ（FET）「EPC2207」を併せて発売した。最大ドレイン電流は、連続時に14A、パルス時に54A。全ゲート電荷量は4.5nC（標準値）、ゲート-ドレイン間の電荷量は0.7nC（標準値）とどちらも少ない。動作温度範囲は−40〜＋150℃。2500個購入時の参考単価は1.49米ドルである。
さらに、今回の新製品を搭載したハーフブリッジ回路構成の開発ボードも用意した。EPC2215を搭載した開発ボード「EPC9099」と、EPC2207を載せた「EPC90124」である。最大出力電流は前者が15Aで、後者が8Aである。どちらも、ゲートドライバーICには米Texas Instruments（TI）の「LMG1210」を採用した。参考単価はどちらも118.75米ドルである。
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August 25, 2020 at 12:05PM
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