東芝が第2世代SiCダイオードに4つの新製品、PFC回路向け - ITpro

　東芝デバイス＆ストレージは、同社の第2世代に当たるSiC（炭化ケイ素）ショットキー・バリアー・ダイオードの品ぞろえを拡充した（ニュースリリース）。今回追加したのは4製品で、その内訳は順方向電流の定格値が12Aの「TRS12N65FB」と、16Aの「TRS16N65FB」、20Aの「TRS20N65FB」、24Aの「TRS24N65FB」である。繰り返しピーク逆電圧（V_RRM）は＋650Vで、パッケージはTO-247である。同社によると、「スイッチング電源（AC-DCコンバーター）の力率改善（PFC）回路に適用すれば、変換効率の向上と、小型化を実現できる」という。具体的な応用先は、通信基地局やサーバー、レーザー加工機、電気自動車用給電設備、有機ELテレビ、オーディオアンプ、プロジェクター、複写機などである。

非繰り返しピーク順方向電流が高く、順方向電圧降下が低い第2世代SiCショットキー・バリアー・ダイオード

東芝デバイス＆ストレージの写真

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　同社の第2世代SiCショットキー・バリアー・ダイオードでは、「改良型JBS（Junction Barrier controlled Schottky）」と呼ぶ構造を採用する。第1世代品と比べると、非繰り返しピーク順方向電流（I_FSM）を高めると同時に、順方向電圧降下（V_F）を低減できる。このため「高サージ電流耐量と低電力損失を達成できる」（同社）という。

　発売した4製品の特性は以下の通り。TRS12N65FBの非繰り返しピーク順方向電流は104A（両レグの場合）。逆方向電流（I_R）は0.3μA（標準値）。順方向電圧降下は＋1.45V（標準値）。総接合電荷量（Q_cj）は15nC（標準値）。TRS16N65FBの非繰り返しピーク順方向電流は130A（両レグの場合）。逆方向電流は0.4μA（標準値）。順方向電圧降下は＋1.45V（標準値）。総接合電荷量は19.4nC（標準値）。TRS20N65FBの非繰り返しピーク順方向電流は158A（両レグの場合）。逆方向電流は0.5μA（標準値）。順方向電圧降下は＋1.45V（標準値）。総接合電荷量は24nC（標準値）。TRS24N65FBの非繰り返しピーク順方向電流は184A（両レグの場合）。逆方向電流は0.6μA（標準値）。順方向電圧降下は＋1.45V（標準値）。総接合電荷量は30nC（標準値）である。

　すでに販売を開始している。価格は明らかにしていない。なお今後同社は、第2世代SiCショットキー・バリアー・ダイオードの品ぞろえをさらに拡充していく予定である。

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July 20, 2020 at 09:31AM
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